Si l’on en croit les bonnes sources de The Bell, Samsung développerait une mémoire DRAM Low Power Wide I/O (LPW) en collaboration avec plusieurs partenaires, dont évidemment Apple. Samsung prévoirait de lancer la production de masse de la LPW DRAM en 2028, en collaborant non seulement avec Apple mais aussi avec d’autres clients de SoC, y compris sa propre division Mobile eXperience (MX). Cette nouvelle technologie de DRAM mobile vise à offrir des performances accrues grâce à l’empilement de DDR basse consommation, bien qu’elle ne dispose pas d’un die de base pour les fonctions logiques, contrairement à la gamme HBM de Samsung.
Avec l’essor de l’IA embarquée, SK hynix, principal concurrent de Samsung sur le marché de la DRAM, développe de son côtév une technologie similaire baptisée « Vertical Fan-Out (VFO) », là encore pour le secteur du mobile. Par ailleurs, un article récent de Business Korea indique que Samsung et SK hynix collaborent sur des produits LPDDR6-Processing In Memory (PIM), avec pour objectif d’établir un calendrier de standardisation en partenariat avec la JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). La fiche technique de la la LPW DRAM de Samsung indique une vitesse maximale d’E/S impressionnante de 204,8 Go/s tout en consommant seulement 1,87 pJ, ce qui montre un niveau d’efficacité (ratio perfs/dépense énergétique) nettement supérieur à la LPDDR5X. Dans l’iPhone 21 sans doute…
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